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万用表术语表

,数字万用表
一个 B C D E F G H J K l N O P R 年代 T U V W X Y Z

精度

精度指的是发生在特定的操作条件下的最大的容许误差。

交流电,交流)

一个周期性变化的电流,电流的大小和方向。

交替

要么交流电的周期的一半。这是当前时期从零增加到最大值(两个方向)和减少为零。

交流发电机(或交流发电机)

一种机电设备,将机械能转换为电能,交流电。早期用户称这一个发电机。

安培表

乐器交流或直流电流测量电路。除非磁耦合,它必须被放置在当前路径的流量是通过计。

安培计分流

低阻导体,用于增加一个安培计的范围。分流的(放在平行)电流表运动和携带的大部分电流。

安培(A)

电流的计量单位每秒库仑(6.25 x 1018电子)。一安培的结果在一个电路有一个欧姆电阻一伏特时应用于电路。看到当前的

放大器

电子电路设计增加电流、电压,或者一个应用信号的力量。

模拟万用表

一块可以测量电压的测试设备,欧姆,安培,等电特性和显示阅读通过移动一根针固定规模面板。

模拟数字转换或转换器(ADC或A / D)

的过程将采样模拟信号转换成数字代码表示原始信号的振幅样本。

音频和音频(AF)

通常由人耳听到的频率范围。一般来说,大约20到20000赫兹。

Auto-ranging万用表

数字显示仪表,手动选择自动选择适当的函数后显示输入信号范围。

β(ß)

晶体管的电流增益共发射极电路连接时,通常称为hfe。

双极型:

半导体器件有多数和少数载流子。

分解

反向偏置的半导体结的条件高电阻,在反向偏压下,突然减少,导致过度的电流。不一定是破坏性的。

桥式整流器

的全波整流器整流二极管连接在一个桥接电路允许电流负载在电源电压的正负交替。

电容(C)

电容是储存能量的能力在一个静电场。它可以表示为Q等于电荷的库仑存储除以伏特的电压E提供这一指控。电容会反对任何改变电压。单位是法拉。

容抗(XC)

反对党电容器提供时间变化的信号或提供电压。它的值是XC = 1/2pfC

电容(C)

设备由两个金属板分离介质或绝缘材料。用于存储电能的板块之间的静电场。

阴极(K)

半导体的负电极二极管

CE标志

欧洲整合的象征,表明产品设计和制造强制欧洲安全和EMC / EMI需求。安全需求包括机电标准。EMC是能够正常工作在电磁信号。EMI电磁排放确保任何低于这一通胀水平将会干扰其他电子设备。

安装的每个类别有不同的电压水平。300、600和1000伏特是最常见的每个类别的水平。等级越高,越要求测试标准。设计/测试的一部分产品如何能容忍瞬变和其他缺点外部产品。它还测试的情况下将保护用户错误的实例应该发生在产品。产品的CE评级意味着一个产品可以安全地用于测试电压和电流而不损害用户错误的实例应该发生在下面描述的限制。这是每一个级别的简要描述,但不像应用程序将一个无所不包的描述有所不同。

我安装类别

信号电平应用程序;特殊设备,部分设备、电信、或其他电子设备与措施瞬态过电压限制在一个适当的低水平。

安装第二类

地方,电器、便携式设备,和其他家庭或产品有限的负载。通常任何可能被插入配电墙套接字。

安装三级

分布水平或固定装置固定连接的应用程序。这将覆盖从服务进入一个建筑配电墙壁插座。

安装第四类

主要供应水平,架空线之外,电力电缆系统,导致建筑物的服务入口。

(问)

可测量的量的电能代表原子粒子之间的静电作用力。电子有一个负电荷。

窒息

一个电感,旨在通过大量的直流电流。它通常是用于电源过滤器来减少脉动;虽然有电感叫射频堵塞(rfc),防止射频电路喂养。

电路

一个完整的路径,允许电流从一个终端的电压源到另一个终端。

断路器

电磁开关用作保护装置。它打破了电路如果当前超过指定值。

时钟频率

主时钟振荡的频率,或者振荡器,在一个系统。

线圈

线的组件,当几个形成伤口在圆柱形式或金属核心。

计数和数字

计数和数字术语用于描述吗决议

收集器(C)

收集的元素在一个晶体管电子或空穴移动,输出通常是获得。类似于三极管真空管的板。

颜色代码

一个系统中,颜色是用来识别电子元件的价值,或其他的变量,比如组件公差。

互补金属氧化物半导体(CMOS)

逻辑信号操作从负电压到一个正电压或在点之间的最大正负电压。最大电压水平是由制造商决定的。

组件

各个部分组成一个电路,一个函数,一个子系统或设备。

导体

一种物质通过电子相对轻松地流动。

接触器

特别继电器开关电流在电力线路电压。

连续性

连续性的存在是一个完整的电子电流的路径。

可控整流器

但是半导体设备的传导由门触发电流,通过减少阳极电压低于临界值。

库仑(C)

电荷的单位,由一个量的6.25 x 1018电子。

波峰因素

峰值的比值的RMS值波形。

电流(I)

当前的是电子的流动的速度过去在一个完整的电路。安培或音箱,是国际单位用于测量电流。一安培结果当一伏特的印象在1欧姆的电阻电路。

数据保存

持有按钮被按下时显示的阅读。显示读数保持按钮时将发布推了。

分贝

标准单位表达权力P1和P2之间的比率。dB = 10 log10 P1和P2,贝尔的十分之一。

介质

不导电的材料用于单独的电容器的盘子或绝缘电气接触。

数字万用表

万用表测试设备,可以测量伏,欧姆,安培等电特性和显示LCD或LED的阅读。

数字信号

一个信号的水平只有离散值,如打开或关闭,1或0,+ 5 v或+ 0.2 v。

数字模拟转换(或转换器)(DAC或D / A)

接受数字输入信号的电路,并将它们转换成一个模拟输出信号。

二极管

二极管是一个设备有两个终端和有高电阻电流在一个方向和一个低阻反方向流动。

直流电(DC直流)

电路中电流在一个方向上。

排水

场效应晶体管中的元素是大致类似于双极型晶体管的集电极。

双重阻抗数字万用表

数字万用表让技术人员可以安全故障查找敏感电子或控制电路以及电路可能包含鬼电压和可以更可靠地确定是否存在电压电路。

工作周期

工作周期时间的比例是一个负载或电路与负载或电路。

有效的价值

交流电流的值将产生相同的加热效应在负载电阻直流电流的对应值。

流产生的能量的一种形式的电子通过材料和设备的影响下一个电动势产生静电,机械、化学或热。

电解电容器

电容器的电极都沉浸在湿电解质或干燥的粘贴。

电动势(E)

力导致电流在一个电路有一个潜在的差异。电压的同义词。

电子

基本原子粒子有一个负电荷,绕一个原子的原子核带正电。

静电场

周围的电场或强迫的对象有一个电荷。

发射器(E)

晶体管的半导体材料发出运营商进入基地地区当发射极基极结正向偏置。

错误

任何偏差的计算、测量或观测值的正确值。

法拉(F)

电容的基本单位。电容器的值为一个法拉当它存储一个库仑电荷与一个伏在它。看到电容。

磁场线圈

电磁铁线圈的绝缘电线缠绕形成软铁芯。常用的电动机和发电机。

场效应晶体管(FET)

3-terminal半导体装置,电流从源,由于导电通道形成的栅极和源之间的电压场。

灯丝

加热元件的真空管的白炽灯。

过滤器

电路元件或一组组件传递信号的频率而阻止其他频率的信号。

荧光

发光的能力当被电子或其它辐射。

提出抗

正向偏压结电阻的电流通过时半导体pn结。

正向电压(或倾向)

电压在半导体结为了允许正向电流通过连接和设备。

频率(F和F)

频率是每秒完成周期的数量在一个周期性的波形。

获得(G)

  1. 任何增加的电流、电压或功率的信号。
  2. 输出的比例放大器的输入信号电平。

鬼电压

鬼电压这个电压有激励电路和non-energized线路位于靠近彼此

地面(或接地)

常见的返回路径电流的电子设备电气接地。同时,称为参考点连接到或假定为零的潜力地球地面

亨利(H)

电感的单位。线圈的电感线圈导线用是一个函数的大小、线匝数和类型的核心材料。

赫兹(Hz)

每秒一次循环。

阻抗(Z)

在一个电路,电路元素的反对党提供交流电。阻抗包括电阻和电抗。

电感(左)

线圈存储能量的能力在它周围磁场导致属性,倾向于反对任何改变现有的电流线圈。

感抗(XL)

反对派时,一个电感提供有一个交流或直流脉动电路。XL = 2 pfl

输入阻抗

输入阻抗阻抗被源当设备或电路连接源。

该地区分离两层半导体材料,例如pn结。

结型晶体管

PNP型或NPN型晶体管由三个备用的地区形成p和n型材料。替代材料是由扩散和离子注入。

泄漏(或漏电流)

泄漏电流是电流流或通过一个设备或电路。

负载

任何组件、电路、子系统或系统消耗的权力交付给它的电源。

逻辑高/低

检查TTL或CMOS逻辑的逻辑电平信号。连接黑色测试铅/ COM的共同总线逻辑电路的输入。连接红色测试铅/ V-W输入要测试的点。逻辑“1”级(高脉冲),由(箭头)表示符号的显示和逻辑“0”水平(低脉冲)(向下箭头)和一个40 ms beep基调。

循环

一个封闭的路径有一个电流或信号。

手册包括万用表

数字显示仪表,在函数是手动选择必须选择适当的范围来显示输入信号。

高阻(MΩ)

一百万欧姆。有时缩写梅格。

微安(mA)

一百万分之一安培。

微法拉(打码,打码,打码)

1000000法拉。

毫安(mA)

一千分之一安培。

毫亨(mH)

亨利一千分之一。

毫瓦特(mW)

1000瓦特。

最小/最大

记录的最大和最小值的输入信号,同时显示当前值。计的哔哔声记录每次新的最大或最小值。看到数字万用表按钮。

NPN型晶体管

一个夹在一个n型和p型双极型晶体管基地发射器,和一个n型收集器。

N型半导体材料(N)

半导体材料中,大多数航空公司是电子,还有过多的电子/空穴。

欧姆(Ω)

电阻的单位。一个电路元件1欧姆的电阻当一伏特应用于组件产生1安培的电流。

Ohms-Per-Volt

模拟电压表的敏感性等级。也表达了阻抗(电阻)提出的电路电压测量时计。

欧姆定律

欧姆定律一个公式用于计算电压之间的关系,电流和电阻。

开路

一个不完整的路径。

振荡

持续连续操作条件,电路输出一个恒定的信号在频率取决于电路常数和由于正面或再生反馈。

最大的正面或负面的价值一个正弦波。

峰值保持

持有的“峰值”价值信号显示寄存器中。只显示可以更新(高)“峰值”价值,只要领导相连但将举行“峰值”阅读当领导被删除。

最小/最大峰值

最小/最大峰值捕捉间断或瞬态事件发生在一个监控信号。抓住了最高价值在很短的时间(毫秒)。

峰间

信号从最大的价值正指向最大负点。

π(p)

数学常数等于一个圆的周长比其直径。约

3.14。

微微法拉(pf)

电容的单位是1 x 10 - 12法拉或1000000 1000000法拉。

压电

水晶房地产开发导致电压在水晶机械应力时,反之亦然。

PNP型晶体管

双极型晶体管的n型基地夹在p型发射器和p型收集器。

极性

电压是否正面或负面的描述对参考点。

潜在的差异

两个点之间的电压差,计算代数。

功率(P)

时间的工作。

功率(活性)

产品的电压和电流反馈电路测量伏安(视在功率)。

功率(真正的)

纯电阻元件的功率耗散的电路以瓦。

电力供应

定义单元的电源设备,电路、子系统或系统。

精度

精度是一个万用表提供相同的重复测量的能力

探针举行

持有&更新显示阅读(高或低)只要测试引线连接,但将显示阅读测试引线时删除。选择探头在测量前。计的哔哔声,表明一个稳定的测量记录。

P型半导体材料(P)

半导体材料中孔大多数运营商和有缺陷的电子。

范围锁

锁当前显示的显示范围。每次按下的按钮移到一个更高的范围。从最高的范围计返回到最低范围。如果测量大于所选范围可以显示,将显示“超载”的指示。

电抗(X)

反对党,纯电感或纯电容提供了在交流电路中电流。

整改

将交流电转化为脉动直流电的过程。

相对模式

测量存储为参考价值和显示复位为零。现在参考价值扣除从随后的测量和显示的差别。先测量,然后激活相关模式,而测量显示。看到数字万用表按钮。

继电器

设备的一组联系人提供的由机械力打开或关闭当前打开的电磁铁。联系人是孤立的电磁铁。

电阻(R)

电阻是反对党的测量电流的电子电路。它导致能量在电路耗散热量的损失。

作为热量。

电阻器

提供抵抗电流的电路元件的电路。

决议

决议是最小的增量万用表可以检测并显示吗

反向电流

当前半导体结反向偏置时。

均方根(RMS)

看到有效的价值。交流正弦波形的RMS值是0.707峰值振幅的正弦波。

半导体

下降的一个材料金属是良导体和绝缘体之间的元素周期表的不良导体。

分流器

平行支路,明白了安培计分流

信号

在电子、电气中包含的信息数量形式输入的电压或电流,时间,或输出设备的电路或系统。

可控硅(SCR)

半导体二极管的电流通过第三元素,称为门,控制刺激,阳极向阴极电压控制断开。

sin(正弦)波

波形的振幅在任何时候通过旋转一个角度,从0°- 360°角的正弦值的函数。

降压变压器

一个变压器的二次绕组将少于主。

升压变压器

变压器的二次绕组有更多比主。

热万用表

热万用表是一家专业数字万用表和一个集成的红外摄像机(也称为热像仪)。热万用表是理想的电子应用程序,你需要快速定位问题,然后测试标准的电气参数。

变压器

一组线圈缠绕在铁芯磁场的夫妻两个或两个以上的线圈和绕组之间的能量。

晶体管

一个三端半导体器件中使用的电路放大电信号或执行作为提供数字开关功能。

晶体管晶体管逻辑(TTL)

运行的逻辑信号0到+ 5伏特之间的限制。

真有效值

一个真有效值设备是一个工具,可以测量交流电或交流电压。真正的均方根值的波形=√AC RMS分量的平方加上直流分量的平方。这种测量方法应该用于非正弦信号和集中在零。大多数trm米有一个波峰因素限制约5:1的准确测量。

匝比

二次绕组的比率转向主绕组的变压器。

向量

一行代表一些数量的大小和时间阶段,绘制矩形或极坐标。

电压表和万用表

电压表测量的区别在一个电路A点和b点。单任务操作万用表的测试功能结合几米像电压表(测量伏),安培计测量(安培)和欧姆计(测量欧姆)。万用表可以采取电子阅读对电压、电流、电阻,除了其他专门的功能。

电压或电压

电压是导致当前的电动势,当包含在一个封闭的回路。一伏特原因1安培的电流通过1欧姆的电阻。

电压降

两点之间的差异可能由电流通过阻抗或电阻引起的。

瓦特(W)

电力的单位焦耳每秒,等于电压降(伏特)乘以电流(安培)电阻电路。